可変アイリスを用いたTE111円筒キャビティによる高温急速加熱

CO2削減のための省エネ・脱炭素技術としてマイクロ波処理が期待されている。従来のマグネトロンを半導体発振器に置き換えると、マイクロ波プロセスの信頼性と制御性が大幅に向上する。前回は、試作したTE111モード円筒キャビティを用いることにより、SiC繊維を800℃まで約2秒の超高速加熱が実現でき、低出力でも大形状ハニカム（φ85*10mm）の急速加熱が可能となった。今回は、キャビティの結合をアンテナ方式から可変アイリスに変えることで、今まで制御が難しかった整合器（チューナー）が不要で、簡便にキャビティの共振が取れるようになった。その結果、SiC多孔体を瞬間的に高温加熱(10秒で1600℃)することが可能となった。

Fig. Ultra-rapid heating of porous SiC

マイクロ波による超高速加熱例（温度と経過時間に注目してください）
加熱例：マイクロ波出力200Wで加熱開始、15秒でマイクロ波off
→SiC多孔体を室温から約6秒で1000℃以上に加熱できます。